FDPF13N50 时间：2025/8/25 3:00:52 阅读：13

FDPF13N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件适用于高功率和高频率开关应用，例如电源、DC-DC转换器、电机控制以及照明系统。FDPF13N50采用TO-220封装，具有低导通电阻和高耐压能力，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：13A
　　漏极-源极电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FDPF13N50具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻较低，在10V栅极驱动电压下仅为0.38Ω，从而降低了导通损耗，提高了能效。其次，该MOSFET具有较高的漏极-源极击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，适用于高压环境。此外，FDPF13N50采用了先进的工艺技术，具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，如PWM控制和DC-DC转换器。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，有助于在高电流条件下维持稳定的运行。FDPF13N50还具备较强的抗热失效能力，确保在高负载情况下依然可靠运行。栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许灵活的驱动电路设计，同时具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态电压条件下的稳定性。此外，该器件的封装设计符合RoHS环保标准，适合广泛应用于工业、消费电子和汽车电子领域。
　　从电气特性来看，FDPF13N50的输入电容（Ciss）约为1200pF，输出电容（Coss）约为450pF，反向传输电容（Crss）约为100pF，这些参数使得该器件在高频开关应用中具有较低的开关损耗。其栅极电荷（Qg）为34nC，这有助于降低驱动电路的功耗。此外，FDPF13N50在不同的工作温度下仍能保持稳定的电气性能，其热阻（RθJC）为2.0°C/W，确保了良好的散热能力。这些特性使得FDPF13N50成为高性能功率开关的理想选择。

应用

FDPF13N50广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电池充电器、电机驱动器以及LED照明系统。在工业自动化控制和家电设备中，该MOSFET也常用于实现高效的功率控制。此外，FDPF13N50还可用于逆变器、太阳能逆变器和车载电源系统等应用，提供可靠的高电压和高电流切换能力。