FDP8N50NZ 时间：2025/4/28 9:25:27 阅读：3

FDP8N50NZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装形式。该器件适用于高电压、高效率的开关应用场合。其耐压值为 500V，导通电阻低，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，FDP8N50NZ 具有快速开关速度和良好的热稳定性，适合工业电源、电机驱动、逆变器等应用领域。
　　FDP8N50NZ 的设计注重高性能与可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大漏源极电压：500V
　　最大连续漏极电流：8A
　　最大栅极源极电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：1.4Ω
　　总功耗：160W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 高耐压能力：500V 的漏源极电压使其非常适合高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：典型值为 1.4Ω，在高电流下可有效减少功率损耗。
　　3. 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电荷，有助于实现高效的开关操作。
　　4. 热稳定性强：采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能承受较高的结温。
　　5. 可靠性高：经过严格测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际规范要求。

应用

FDP8N50NZ 广泛应用于需要高效开关和高耐压特性的场景中，具体包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器等电路。
　　2. 电机驱动：支持各种类型的电机控制，如步进电机、无刷直流电机等。
　　：用作功率级开关元件，实现能量转换。
　　4. 电池管理系统：适用于电动车、储能设备等中的电池充放电管理。
　　5. 电磁阀和继电器驱动：提供足够的驱动能力和保护功能。