FDP86363-F085 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的高性能 N 沃林顿功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,专为高效率和低导通电阻应用设计,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
这款 MOSFET 具有极低的导通电阻和优化的开关性能,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。其封装形式为 PAK85 封装,适合高密度布局设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:160A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:475pF
开关时间:典型值 80ns
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
FDP86363-F085 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 1.2mΩ,从而大幅降低了导通损耗。
此外,该器件具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于实现快速开关和更高的工作效率。
它还具备出色的热性能和可靠性,能够在极端温度条件下稳定运行,非常适合对效率和散热要求较高的应用场景。
其 PAK85 封装支持高效的热量传导,并且易于焊接和安装,进一步提升了其应用灵活性。
FDP86363-F085 广泛应用于需要高效功率转换和处理大电流的场景中,例如:
- 开关模式电源 (SMPS)
- 电机驱动控制
- DC-DC 转换器
- 逆变器和 UPS 系统
- 工业自动化设备中的负载切换
- 高电流电池管理及保护电路
FDP86363P-F085, FDP86363-F065