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FDP86363-F085 发布时间 时间:2025/6/3 10:44:45 查看 阅读:4

FDP86363-F085 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的高性能 N 沃林顿功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,专为高效率和低导通电阻应用设计,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
  这款 MOSFET 具有极低的导通电阻和优化的开关性能,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。其封装形式为 PAK85 封装,适合高密度布局设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:160A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:475pF
  开关时间:典型值 80ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

FDP86363-F085 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 1.2mΩ,从而大幅降低了导通损耗。
  此外,该器件具有较低的栅极电荷和输出电容,有助于实现快速开关和更高的工作效率。
  它还具备出色的热性能和可靠性,能够在极端温度条件下稳定运行,非常适合对效率和散热要求较高的应用场景。
  其 PAK85 封装支持高效的热量传导,并且易于焊接和安装,进一步提升了其应用灵活性。

应用

FDP86363-F085 广泛应用于需要高效功率转换和处理大电流的场景中,例如:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电机驱动控制
  - DC-DC 转换器
  - 逆变器和 UPS 系统
  - 工业自动化设备中的负载切换
  - 高电流电池管理及保护电路

替代型号

FDP86363P-F085, FDP86363-F065

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FDP86363-F085参数

  • 现有数量183现货
  • 价格1 : ¥27.90000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包装管件
  • 产品状态最后售卖
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)110A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10000 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3