时间：2025/5/10 13:05:20
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DMPH2040UVTQ是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated制造。该器件采用小型DFN3030-8封装，适用于对空间要求较高的应用场合。DMPH2040UVTQ具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
此MOSFET主要应用于消费电子、通信设备及计算机相关产品中，例如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理等场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值，当Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：7nC（典型值）
总功耗(Ptot)：790mW
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
封装类型：DFN3030-8
低导通电阻有助于减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
MOSFET具备快速开关能力，适合高频应用。
小型DFN3030-8封装使其非常适合空间受限的设计。
高雪崩耐量增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
符合RoHS标准，绿色环保。
静电放电(ESD)保护能力较强，提升了器件的可靠性。
DMPH2040UVTQ广泛用于多种电力电子领域：
便携式电子设备中的负载开关。
高效DC-DC转换器的同步整流开关。
小型电机控制与驱动电路。
锂电池保护和管理系统。
各种电源管理单元(PMU)中的功率开关角色。
信号路径切换功能，在通信和数据传输应用中实现灵活的电路配置。
DMP2040UHTQ,DMP2040UFDFQ
