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FDP6670AL 发布时间 时间:2025/7/9 2:27:40 查看 阅读:7

FDP6670AL是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关应用中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。FDP6670AL采用TO-252封装形式,适合表面贴装工艺,从而提高了设计灵活性和可靠性。
  此MOSFET特别适用于需要高效率和快速动态响应的应用场景,例如DC-DC转换器、负载开关和LED驱动等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:49nC
  输入电容:1250pF
  总功耗:2.0W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

FDP6670AL具备低导通电阻的特点,有助于降低传导损耗,特别是在大电流应用场景下表现优异。
  该器件还拥有快速开关能力,可以显著减少开关损耗,同时提供更优的热性能。
  FDP6670AL采用了先进的制造工艺,确保其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
  此外,该MOSFET具有较强的抗静电能力(ESD保护),进一步提升了产品的可靠性。
  由于其紧凑的封装形式,这款器件非常适合对空间要求严格的PCB设计。

应用

FDP6670AL主要应用于各类高效能电源管理解决方案,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关
  3. 负载开关和电池保护电路
  4. LED驱动电路中的功率控制
  5. 电机驱动及小型化逆变器设计
  6. 各种工业自动化设备中的信号切换功能
  该MOSFET凭借其低导通电阻和出色的开关特性,成为上述应用的理想选择。

替代型号

FDP6670,
  IRF740,
  STP12NF03L

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FDP6670AL参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2440pF @ 15V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件