时间：2025/12/29 15:27:23
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FDP28N60是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及开关电源等电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：28A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.22Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FDP28N60 MOSFET具有较低的导通电阻，使其在高电流条件下能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。同时，该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高压电源应用。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还能在较高的环境温度下稳定运行。
此外，FDP28N60具备快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗。该器件还内置了热保护和过载保护功能，增强了系统的可靠性和稳定性。飞兆半导体作为国际知名的半导体厂商，其产品在质量、性能和一致性方面具有较高的市场认可度。
该MOSFET还具有良好的栅极驱动兼容性，可以与常见的驱动IC配合使用，简化了外围电路的设计。此外，其封装形式便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子设备。
FDP28N60广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-AC逆变器、照明控制系统、电池充电器、工业自动化设备以及高功率DC-DC转换器等场景。其高电压和高电流承受能力使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。
IRF840, FQA24N50, FDPF28N60
