时间：2025/3/25 10:02:39
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FDP18N20F 是一款高性能的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-220 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率控制的应用场景。
它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中提供优异的性能表现。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：39nC
总功耗：175W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDP18N20F 的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低传导损耗并提高效率。此外，其快速的开关速度减少了开关损耗，在高频操作条件下尤为明显。
器件的高雪崩能量能力确保了在过载或短路情况下的可靠性。同时，由于采用了先进的制造工艺，FDP18N20F 具有较低的热阻，进一步增强了散热性能。
TO-220 封装提供了良好的机械稳定性和电气连接性，便于安装和使用。此外，FDP18N20F 符合 RoHS 标准，适合环保要求较高的应用场景。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件；
2. 直流-直流转换器中的同步整流；
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路；
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节；
5. 各种工业自动化设备中的负载切换控制。
IRFZ44N, STP18NF06L, FDN18N20
