型号：8TQ080GS
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerTSSOP-8
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大连续漏极电流（ID）：14A @ 25°C（Tc）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：56A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ @ VGS=10V, ID=7A
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ @ VGS=7V, ID=7A
　　导通电阻（RDS(on)）：12.0mΩ @ VGS=5V, ID=7A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：2400pF @ VDS=40V
　　输出电容（Coss）：920pF @ VDS=40V
　　反向传输电容（Crss）：180pF @ VDS=40V
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ VGS=10V
　　上升时间（tr）：25ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　热阻（RθJA）：50°C/W
　　热阻（RθJC）：3.5°C/W

8TQ080GS采用安森美先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，使其在高频率开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其在大电流应用中优势明显。该器件在VGS=5V时仍能保持较低的导通电阻（12mΩ），说明其具备良好的逻辑电平驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑电路直接驱动的场景，如嵌入式系统或便携式设备中的电源管理模块。器件的输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动功耗和开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI）。其快速的开关响应时间（tr=25ns，tf=20ns）确保了在高频DC-DC变换器中能够实现高效稳定的能量转换。此外，较短的体二极管反向恢复时间（trr=35ns）减少了反向恢复电荷，降低了开关过程中的尖峰电压和功率损耗，提升了系统的可靠性和效率。8TQ080GS还具备优良的热性能，其低热阻（RθJC=3.5°C/W）使得热量能够有效从芯片传递至PCB，增强了器件在高功率密度环境下的稳定性。该MOSFET通过了严格的可靠性测试，具备高抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其小型化的PowerTSSOP-8封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，适用于大规模制造。综合来看，8TQ080GS在性能、尺寸、效率和成本之间达到了良好平衡，是现代高效电源系统中的优选器件。
　　

8TQ080GS广泛应用于各类中等功率电源转换与控制电路中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter），作为主开关或同步整流开关，利用其低导通电阻和快速开关特性提高转换效率；在升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑中也可作为主开关元件，适用于电池供电设备的电压调节。在笔记本电脑、平板电脑、路由器和网络通信设备的电源管理单元中，该器件常用于多相VRM（电压调节模块）设计，提供稳定的CPU或GPU供电。此外，8TQ080GS也适用于电机驱动电路，如无人机电调、小型伺服系统或风扇控制，其快速响应能力有助于提升控制精度。在LED照明驱动电源中，可用于恒流控制或PWM调光电路，实现高效节能。在工业自动化和消费类电子产品中，该器件常被用作负载开关，控制电源的通断，防止浪涌电流冲击。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，8TQ080GS还可用于汽车电子辅助电源系统（如车载信息娱乐系统电源）、便携医疗设备及充电器等对安全性和效率要求较高的领域。其小型封装也使其非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。
　　

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　　FDS8878CZ-F085
　　SI4410BDY-T1-GE3