类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：16A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（典型值）
　　最大功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

FDP16N65 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多功率应用中表现出色。首先，它的漏源电压（Vds）高达650V，适用于高电压环境，同时具有较高的栅源电压容限（±30V），提高了栅极控制的灵活性和抗干扰能力。该器件的导通电阻Rds(on)仅为0.22Ω，降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET支持高达16A的连续漏极电流，能够在较大负载条件下稳定工作。FDP16N65采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和较低的开关损耗，确保在高频开关应用中的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，也适合多种PCB布局方式。MOSFET的热阻（RθJC）较低，有助于快速散热，延长器件寿命。此外，该器件还具备良好的雪崩击穿能力，能够在瞬态高压情况下保持稳定运行，从而提升系统的整体安全性。
　　FDP16N65的开关特性也十分优越，具有快速的上升和下降时间，适用于高频率开关操作。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高驱动效率。这些特性使得该MOSFET在电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）等应用中表现出色。

FDP16N65广泛应用于各类高功率和高压电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件在太阳能逆变器、LED照明驱动电源以及电动汽车充电系统中也得到了广泛应用。此外，FDP16N65还适合用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电源效率并减少能量损耗。

FDPF16N65, FQA16N65, 2SK2146, STF16N65M