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FDP13N50F 发布时间 时间:2025/7/29 11:53:25 查看 阅读:7

FDP13N50F是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于高功率开关应用,具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能,适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达控制、电源管理和各种高功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  连续漏极电流(ID):13A(在Tc=100℃)
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.38Ω(最大值,典型值)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-220

特性

FDP13N50F的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻,这使其在高功率开关应用中表现出色。该MOSFET能够在高温环境下稳定工作,并且具有良好的散热性能。此外,FDP13N50F的栅极驱动电压范围较宽,使得其适用于多种驱动电路设计。器件还具有较快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。在可靠性方面,FDP13N50F具有较长的使用寿命和较高的稳定性,适合工业级应用。
  FDP13N50F采用TO-220封装形式,便于安装在散热片上,以提高散热效率。其封装设计也使得该器件易于集成到各种电路板中,满足不同应用场景的需求。该MOSFET在高电压和高电流条件下依然保持良好的性能,是许多高功率电子设备的理想选择。

应用

FDP13N50F广泛应用于电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业控制设备以及各种高功率电子设备中。其优异的性能和可靠性使其成为工业级和消费级应用中的理想选择。

替代型号

FDP13N50, FQA13N50, 2SK2647, IRFBC30

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