时间：2025/7/29 11:53:25
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FDP13N50F是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于高功率开关应用，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达控制、电源管理和各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：13A（在Tc=100℃）
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大值，典型值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220
FDP13N50F的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻，这使其在高功率开关应用中表现出色。该MOSFET能够在高温环境下稳定工作，并且具有良好的散热性能。此外，FDP13N50F的栅极驱动电压范围较宽，使得其适用于多种驱动电路设计。器件还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。在可靠性方面，FDP13N50F具有较长的使用寿命和较高的稳定性，适合工业级应用。
FDP13N50F采用TO-220封装形式，便于安装在散热片上，以提高散热效率。其封装设计也使得该器件易于集成到各种电路板中，满足不同应用场景的需求。该MOSFET在高电压和高电流条件下依然保持良好的性能，是许多高功率电子设备的理想选择。
FDP13N50F广泛应用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业控制设备以及各种高功率电子设备中。其优异的性能和可靠性使其成为工业级和消费级应用中的理想选择。
FDP13N50, FQA13N50, 2SK2647, IRFBC30
