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2SK2484 发布时间 时间:2025/7/14 14:37:51 查看 阅读:29

2SK2484是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能开关和高电流处理能力的电子电路中。该器件由东芝公司生产,具有低导通电阻、高速切换特性以及良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制和电池供电设备等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流 (ID):10A
  最大漏源电压 (VDS):60V
  最大栅源电压 (VGS):±20V
  导通电阻 (RDS(on)):典型值为0.35Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220、SOP等

特性

2SK2484的主要特性之一是其较低的导通电阻,这使得在高电流条件下能够有效降低功耗并减少发热。此外,该MOSFET具有较高的开关速度,从而提高了整体系统的效率,适用于高频操作环境。
  另一个显著特点是它的耐用性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。2SK2484还具备较强的过载和短路保护能力,从而提升了设备的安全性和寿命。
  由于采用了先进的制造工艺,2SK2484在高温下仍能保持良好的性能,并且具备较高的抗静电能力和机械强度,适合多种工业应用场景。

应用

2SK2484常用于各种电力电子系统中,例如直流电机驱动器、LED照明控制器、电池管理系统(BMS)以及开关电源(SMPS)。它也适用于逆变器、充电器和负载开关等应用,提供高效的功率控制解决方案。
  在汽车电子领域,2SK2484可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制系统等。此外,在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中也有广泛应用。

替代型号

2SK2484的替代型号包括IRLZ44N、Si4410BDY、NTD10N06L、AO3402

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