时间：2025/5/9 11:39:23
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FDP100N10是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用DPAK封装形式，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适合应用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。其出色的性能使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
该型号的MOSFET在高频应用中表现出色，能够有效减少功率损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：1A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：3.5Ω（典型值，在VGS=10V时）
总功耗：1.2W
结温范围：-55℃至+175℃
FDP100N10的主要特性包括：
1. 高耐压能力：1000V的漏源电压使其适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在特定条件下可降低功率损耗，提高效率。
3. 快速开关速度：支持高频操作，适合开关电源和其他高频应用场景。
4. 热稳定性强：能够在高温环境下稳定工作，最高结温可达175℃。
5. 小型化封装：DPAK封装形式节省了PCB空间，便于设计布局。
6. 可靠性高：通过严格的测试和验证流程，确保长期使用的可靠性。
FDP100N10广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于功率转换电路中的开关元件。
2. 电机驱动：控制直流或步进电机的运行状态。
3. 逆变器：实现直流到交流的转换。
4. 负载切换：保护电路免受过流或其他异常情况的影响。
5. PFC（功率因数校正）电路：提高输入功率因数，减少谐波失真。
6. 其他高压开关应用：如电磁阀驱动、照明控制等场景。
FDP160N10,
FDP150N10,
IRFP260N
