类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：85nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

FDP047N10_NL 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 4.7mΩ，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，优化了器件的开关性能，减少了开关损耗。其最大漏源电压为 100V，最大漏极电流为 75A，适用于中高功率应用。
　　该 MOSFET 具有较高的栅极电荷（Qg）值为 85nC，这意味着在高频开关应用中需要较大的驱动能力，但同时也确保了器件在高电压和高电流下的稳定运行。FDP047N10_NL 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下保持较低的工作温度。
　　此外，该器件的栅源电压范围为 ±20V，使其在各种驱动条件下具有较高的灵活性和稳定性。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于宽温度范围的应用场景，如汽车电子、工业电源和电机控制等。

FDP047N10_NL 主要用于需要高效能功率转换的场合，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源管理模块等。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源设计，特别是在需要大电流输出的电源转换系统中。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。
　　在电机控制方面，FDP047N10_NL 可用于 H 桥驱动器、无刷直流电机（BLDC）控制器和伺服电机驱动电路。其优异的热性能和高可靠性使其能够适应严苛的工业环境，如工厂自动化设备、工业机器人和不间断电源（UPS）系统等。在消费类电子产品中，该器件也可用于高功率密度的电源适配器、LED 照明驱动器和智能电源插座等应用。

IRF1404, FDP047N10A, FDP047N10_F085, STP75NF75