时间：2025/8/25 7:06:07
阅读：29
FDP047AN08A0_F102 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高效率的电源管理系统。这款MOSFET是N沟道增强型，设计用于高边开关和负载开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：80V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：最大值22mΩ @ Vgs=10V
工作温度：-55°C ~ +175°C
FDP047AN08A0_F102 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗和提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。封装设计优化了电流处理能力和散热性能，适用于高功率密度的应用场景。此外，这款MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。器件的栅极氧化层设计可承受高电压，确保了长期工作的稳定性和耐用性。
FDP047AN08A0_F102 还具有快速开关特性，这使得它在高频应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了整体效率。其封装形式为D2PAK（TO-263），方便集成到各种电路设计中，同时具备良好的散热性能。这些特性使得该MOSFET在电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统中得到了广泛应用。
FDP047AN08A0_F102 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化和控制设备等。由于其优异的导通特性和高电流处理能力，它也常用于高功率LED照明、汽车电子系统和电信基础设施设备中的电源管理部分。
FDP047AN08A0_F102 可以考虑的替代型号包括：IRF1404（Infineon Technologies）、FDBL047AN08A0_F153（ON Semiconductor）、SiR862ADP（Vishay Siliconix）
