FDP047AN08A0_F102 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流和高效率的电源管理系统。这款MOSFET是N沟道增强型,设计用于高边开关和负载开关应用,具有低导通电阻和高功率密度的特点。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):80V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):最大值22mΩ @ Vgs=10V
工作温度:-55°C ~ +175°C
FDP047AN08A0_F102 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗和提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术,提供了优异的热稳定性和可靠性。封装设计优化了电流处理能力和散热性能,适用于高功率密度的应用场景。此外,这款MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行。器件的栅极氧化层设计可承受高电压,确保了长期工作的稳定性和耐用性。
FDP047AN08A0_F102 还具有快速开关特性,这使得它在高频应用中表现优异,减少了开关损耗并提高了整体效率。其封装形式为D2PAK(TO-263),方便集成到各种电路设计中,同时具备良好的散热性能。这些特性使得该MOSFET在电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统中得到了广泛应用。
FDP047AN08A0_F102 广泛应用于多种电子设备和系统中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括但不限于:电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器、UPS(不间断电源)系统、工业自动化和控制设备等。由于其优异的导通特性和高电流处理能力,它也常用于高功率LED照明、汽车电子系统和电信基础设施设备中的电源管理部分。
FDP047AN08A0_F102 可以考虑的替代型号包括:IRF1404(Infineon Technologies)、FDBL047AN08A0_F153(ON Semiconductor)、SiR862ADP(Vishay Siliconix)