时间：2025/8/25 3:43:36
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FDP045N10AF102是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件设计用于高功率应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，使其非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。FDP045N10AF102采用了先进的功率MOSFET制造工艺，具备高耐压和大电流能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：45A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5毫欧（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值为75nC
最大功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
FDP045N10AF102具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中的最小功率损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压可达100V，适用于中高功率电源系统。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。FDP045N10AF102的高开关速度使其适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。最后，该器件具备高可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定性能，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
FDP045N10AF102广泛应用于多个高功率电子系统中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电源管理系统以及汽车电子中的功率控制模块。由于其高电流和高耐压能力，该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统和工业自动化设备中的功率管理单元。
FDP045N10A，FDP047N10A，IRF1405，FDV304N10AS
