时间：2025/8/25 0:35:17
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FDP027N06B是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，专为高性能功率转换应用而设计。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（在Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大27mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FDP027N06B的主要特性之一是其超低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件采用先进的沟槽技术，实现了优异的导通和开关性能。
其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的热管理和高功率密度，适合在高电流和高温度环境下工作。
该MOSFET还具有高雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压情况下的可靠性。栅极设计优化，可减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。
此外，FDP027N06B符合RoHS标准，具备环保特性，适用于现代绿色电子设备的设计。
FDP027N06B广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、服务器电源和工业电源设备。
由于其低Rds(on)和高电流能力，该器件也常用于负载开关、马达驱动器以及需要高效能功率切换的系统中。
在汽车电子领域，FDP027N06B可用于车载充电器、DC-DC转换器和车身控制系统等应用。此外，它也适用于太阳能逆变器和储能系统等可再生能源相关设备。
SiR142DP-T1-GE3, FDB030N06B_F085, FDPF027N06B
