类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：80 V
　　最大漏极电流（Id）：160 A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.3 mΩ @ Vgs = 10 V
　　栅极电压（Vgs）：最大±20 V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（Pd）：250 W
　　漏极电容（Coss）：约1850 pF（典型值）

FDP023N08BH具有多项优异的电气和热性能特性，首先其低导通电阻（2.3 mΩ）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，提升了电流密度和开关性能，使得其在高频率开关应用中表现出色。此外，该器件具备较高的热稳定性，封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率应用中保持较低的结温，延长使用寿命。
　　在动态性能方面，FDP023N08BH的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）较低，有助于减少驱动损耗和开关延迟。其反向恢复时间（trr）较短，适用于同步整流和高效率DC-DC转换器。该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
　　封装方面，FDP023N08BH采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于大规模生产和自动化装配。

FDP023N08BH广泛应用于各类高效能电源系统中，例如服务器电源、电信电源、电池充电器、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。其优异的导通和开关性能也使其成为电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及太阳能逆变器等新能源领域的理想选择。

FDMS86101、IRF1324S、SiS828DN、FDP025N08B、FDP023N08B