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W27E512P-12 发布时间 时间:2025/8/21 8:26:26 查看 阅读:6

W27E512P-12 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的 512K 位(64KB)的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。该器件通常用于需要高速访问和低功耗特性的应用,例如工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费电子产品。W27E512P-12 采用高速异步设计,能够在不需要时钟信号的情况下进行数据的快速读写操作。

参数

容量:512K 位(64KB)
  组织方式:x8 位数据宽度
  电源电压:5V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:28 引脚 TSOP
  最大读取电流:160mA
  待机电流:10mA

特性

W27E512P-12 是一款高性能的异步 SRAM,具有高速访问时间和低功耗的特点,适合用于对性能和功耗都有要求的场景。
  其 12ns 的访问时间使其能够在高速系统中使用,确保数据的快速读取和写入。此外,该器件的 5V 电源设计使其具有良好的兼容性,可以轻松集成到多种电路设计中。
  采用 CMOS 工艺制造,W27E512P-12 具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于工业环境下的长期运行。同时,其低待机电流设计也有助于延长设备的使用寿命和减少热量积聚。
  封装方面,W27E512P-12 使用 28 引脚 TSOP 封装,适合在空间受限的应用中使用,并且便于表面贴装工艺(SMT)的实施,提高生产效率。
  整体来看,W27E512P-12 是一款可靠、高效的 SRAM 存储器芯片,适用于多种嵌入式和工业控制系统。

应用

W27E512P-12 主要应用于需要快速存取和低功耗的场景,例如工业控制器、通信模块、网络设备、测试仪器、医疗设备以及消费类电子产品中的缓存或临时数据存储功能。
  在嵌入式系统中,它可以作为主处理器的外部高速缓存,用于存储临时数据或运行时变量,提升系统响应速度。
  此外,该芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业设备,例如 PLC 控制器、数据采集系统和智能传感器等,以满足对可靠性和性能的双重需求。

替代型号

AS6C62256-55PCN, CY62167EV30LL-45B, IDT71V416S

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