类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.3A（在25°C）
　　功耗(Pd)：1.4W
　　导通电阻(Rds(on))：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerT66

FDN5630_F095具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其35mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现优异，适用于高电流应用。
　　该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提高了栅极控制能力和开关速度，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和耐久性，能够在较高工作温度下保持稳定性能。
　　FDN5630_F095的封装形式为PowerT66，具备良好的散热能力，适用于紧凑型高功率密度设计。其1.4W的功耗能力在不增加额外散热片的情况下也能满足多种应用需求。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，便于集成到各类电源管理系统中。同时，其-55°C至150°C的宽工作温度范围使其适用于各种恶劣环境条件，如工业控制和汽车电子系统。

FDN5630_F095广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换的理想选择。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于便携式设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池供电系统。
　　在工业自动化系统中，FDN5630_F095可用于电机驱动、传感器电源控制以及工业DC-DC电源模块的设计。
　　此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车载DC-DC转换器以及车身控制系统中的功率开关。
　　由于其良好的热稳定性和高频开关性能，FDN5630_F095还可用于高效率LED照明驱动电路和电源适配器设计。

FDN5630_F095的替代型号包括FDN5610、FDS6675、SiSS56DN、IRLML6401等。