时间：2025/9/14 0:15:50
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BUK762R0-40E,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 设计用于高效率功率转换应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。它具有低导通电阻、高电流能力和高耐压特性，使其适用于各种高性能功率电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：40 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：140 A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.2 mΩ（典型值，Vgs=10 V）
功耗（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK762R0-40E,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够支持高达 140 A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其 40 V 的漏源电压额定值使其适用于多种低压功率转换应用，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
该 MOSFET 还具有良好的热阻特性，封装设计优化了散热性能，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的结温。此外，它具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，从而进一步提高转换效率。器件内置的雪崩能量保护功能增强了其在严苛环境下的可靠性。
由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，BUK762R0-40E,118 在导通电阻和栅极电荷之间实现了良好的平衡，这对于高频开关应用尤为重要。其 ±20 V 的栅源电压额定值提供了更高的驱动灵活性，并有助于防止栅极氧化层击穿。
该器件广泛应用于多种功率电子系统中，例如 DC-DC 降压和升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也非常适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。
在服务器和通信设备的电源系统中，BUK762R0-40E,118 常被用于高电流输出的同步整流电路中，以提高电源转换效率并减少热量产生。在新能源应用中，例如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也被用于功率开关和能量管理模块中。
此外，由于其高耐压和低导通电阻特性，该 MOSFET 也适用于需要快速开关和高效能的马达控制和负载开关应用，例如工业自动化设备中的执行机构和继电器替代方案。
SiS6280, IRF1405, IPP075N15N3, BSC090N15NS5
