FDN537N是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装,具有小尺寸和高效性能的特点,广泛应用于便携式设备、开关电源、负载开关以及其他需要低功耗和高效率的电路中。
FDN537N通过其低导通电阻和快速开关速度,能够有效地降低功耗并提高系统效率。此外,它还具备出色的热稳定性和电气特性,适合多种低压应用环境。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:190mA
脉冲漏极电流:1.1A
导通电阻:1.9Ω
栅极电荷:1.6nC
开关时间:ton=6ns, toff=10ns
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 采用小型SOT-23封装,节省PCB空间。
2. 具有较低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为1.9Ω,有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度,能够实现高频操作,适合现代电子设备的需求。
4. 高度可靠的电气性能,支持长时间稳定运行。
5. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 低栅极电荷设计,进一步提升了整体效率。
FDN537N适用于以下场景:
1. 开关电源中的同步整流和初级侧开关。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 便携式电子产品,如手机、平板电脑、笔记本电脑等内部的电源管理模块。
4. LED驱动器及小型电机驱动控制。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换与功率传输路径控制。
FDN337N, BSS138, SI2302DS