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FDN537N 发布时间 时间:2025/6/3 9:02:42 查看 阅读:9

FDN537N是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装,具有小尺寸和高效性能的特点,广泛应用于便携式设备、开关电源、负载开关以及其他需要低功耗和高效率的电路中。
  FDN537N通过其低导通电阻和快速开关速度,能够有效地降低功耗并提高系统效率。此外,它还具备出色的热稳定性和电气特性,适合多种低压应用环境。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:190mA
  脉冲漏极电流:1.1A
  导通电阻:1.9Ω
  栅极电荷:1.6nC
  开关时间:ton=6ns, toff=10ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

1. 采用小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  2. 具有较低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为1.9Ω,有助于减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,能够实现高频操作,适合现代电子设备的需求。
  4. 高度可靠的电气性能,支持长时间稳定运行。
  5. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 低栅极电荷设计,进一步提升了整体效率。

应用

FDN537N适用于以下场景:
  1. 开关电源中的同步整流和初级侧开关。
  2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
  3. 便携式电子产品,如手机、平板电脑、笔记本电脑等内部的电源管理模块。
  4. LED驱动器及小型电机驱动控制。
  5. 各类消费类电子产品中的信号切换与功率传输路径控制。

替代型号

FDN337N, BSS138, SI2302DS

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FDN537N参数

  • 现有数量5,012现货
  • 价格1 : ¥5.49000剪切带(CT)3,000 : ¥2.10900卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A(Ta),6.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)465 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3