时间：2025/4/30 9:52:36
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FDN361AN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于消费电子、通信设备及计算机外设等应用中的电源管理电路和信号切换电路。
该器件主要应用于低压系统中，能够提供高效、可靠的开关性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：0.45A
输入电容：10pF
总功耗：380mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDN361AN 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 高可靠性，具备较强的抗静电能力（HBM ≥ 2kV）。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
FDN361AN 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或辅助开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 便携式电子产品中的电源管理单元。
5. 数据通信接口保护电路。
6. 各类信号切换与隔离电路。
7. 消费类电子产品的过流保护功能实现。
FDN360AN, BSS138, SI2302DS
