时间：2025/9/1 15:35:24
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IS61DDPB21M18A-400M3L是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供高可靠性和卓越的性能，适用于需要高速数据存储和快速访问的系统设计。该型号SRAM属于高速同步SRAM系列，具有双端口架构，允许同时进行读写操作，适用于网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统等高性能应用场景。
容量：21Mbit（2,147,483,648位）
组织结构：18位 × 131072字（128K）
访问时间：400MHz
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：165-BGA
接口类型：同步
数据速率：400MHz
封装尺寸：19mm x 19mm
功耗（典型值）：1.2W
IS61DDPB21M18A-400M3L具备多个高性能特性，包括双端口架构，允许两个独立的主机或控制器同时访问同一存储区域，显著提高数据吞吐能力。该器件的同步接口支持高速时钟频率，适用于需要快速响应和低延迟的应用。其CMOS工艺确保了低静态电流和动态功耗管理，适用于高密度、高频率操作的系统设计。该SRAM具有优异的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。此外，该器件支持多种省电模式，如待机模式和深度睡眠模式，有效降低整体系统功耗，延长设备使用寿命。封装采用标准的165-BGA封装，便于PCB布局和散热管理，适用于多种工业和通信应用。
该芯片广泛应用于高性能嵌入式系统、网络路由器与交换机、数据通信设备、工业自动化控制系统、图像处理设备、测试与测量仪器等领域。特别适用于需要高速缓存、帧缓冲、队列管理或实时数据处理的场合。例如，在通信基础设施中，IS61DDPB21M18A-400M3L可用于高速缓存转发数据包、临时存储路由表或处理复杂的QoS（服务质量）算法。在工业控制中，该器件可作为高速数据缓冲器，用于实时控制和数据采集系统。
IS61DDPB21M18B-400M3L, CY7C1512KV18-400BZXI, IDT71V416S18PFG400B
