类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.1A（@Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@Vgs = -10V）、60mΩ（@Vgs = -4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-SOIC

FDN360P 具备多个关键特性，使其在多种功率管理应用中表现优异。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在 Vgs = -10V 时，Rds(on) 仅为 45mΩ，即使在较低的栅极驱动电压（如 -4.5V）下，Rds(on) 也仅上升至 60mΩ，这使得该器件适用于多种驱动电路。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 -4.1A 的连续漏极电流，能够胜任中等功率的开关应用。其最大漏源电压为 -30V，允许在多种电源电压范围内使用，包括常见的 12V 和 24V 工业控制系统。
　　此外，FDN360P 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于高密度 PCB 布局。该封装形式也便于自动化贴片工艺，提高了生产效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具备较强的抗静电能力（ESD），提高了在复杂电磁环境中的可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
　　最后，FDN360P 符合 RoHS 标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保要求较高的电子产品设计。

FDN360P 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。常见的应用包括负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。
　　在负载开关应用中，FDN360P 可以作为高侧开关使用，实现对负载的快速通断控制，减少静态电流损耗，并具备良好的过流和过热保护能力。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器使用，提高转换效率，降低发热，尤其适用于低电压高电流输出的降压或升压电路。
　　在电池管理系统中，FDN360P 可用于控制电池充放电路径，提供可靠的导通和关断性能，延长电池寿命。
　　此外，FDN360P 也可用于电机驱动电路中的 H 桥结构，实现对电机方向和速度的精确控制，适用于小型电机、风扇、泵等控制场合。
　　由于其良好的热性能和紧凑的封装设计，FDN360P 还广泛应用于便携式电子设备、嵌入式系统以及汽车电子模块中，满足对空间和效率有严格要求的设计场景。

Si4435DY, IRF9Z24N, FQP30N06L, AO4406