FDN360N 时间：2025/8/24 18:10:01 阅读：4

FDN360N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率、低电压应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点。FDN360N 常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率开关元件。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.065Ω @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

FDN360N 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。
　　该器件支持高达 4.1A 的连续漏极电流，适用于中等功率级别的应用。
　　其 SOT-223 封装形式具有良好的热性能，便于散热，同时保持了紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。
　　FDN360N 支持宽范围的栅极驱动电压（最高可达 20V），确保在不同应用条件下稳定工作。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，如 DC-DC 升压/降压转换器和同步整流器。
　　它还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。

应用

FDN360N 主要应用于便携式电子设备的电源管理系统，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　它也广泛用于电池充电电路、负载开关和电机控制电路中。
　　此外，该器件适用于各种工业控制系统中的 DC-DC 转换器和稳压器设计。
　　在汽车电子领域，FDN360N 可用于车身控制模块、LED 照明驱动器以及车载充电器等应用。
　　由于其良好的高频响应特性，该 MOSFET 还可用于电源适配器、同步整流器和高效能电源模块的设计。