时间：2025/6/16 17:01:13
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FDN359BN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装 (SOT-23)，适用于需要高效率和低功耗的开关应用。该器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，使其非常适合于便携式设备、电源管理电路以及高频 DC-DC 转换器等场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：1.2A
导通电阻：0.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极-源极电压范围：-20V 至 +20V
总功耗：400mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDN359BN 提供了出色的性能，包括以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，有助于减小外部元件尺寸。
3. 小型 SOT-23 封装节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 高度稳定的电气性能和可靠性，适用于多种工业及消费类电子产品。
5. 支持较低的驱动电压，便于与标准逻辑电路集成。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 各种保护电路，如过流保护或短路保护。
6. 手机、平板电脑及其他便携式电子产品的电源管理模块。
FDN357AN, FDN340AN
