时间：2025/5/22 8:35:53
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FDN359AN 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸 SOT-23 封装，适用于需要高效能和紧凑设计的电路。FDN359AN 主要用于开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，使其在便携式设备、电源管理、负载开关等领域表现出色。
该器件的高击穿电压和较低的栅极电荷特性有助于提高系统效率，并降低功耗。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：420mA
脉冲漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：4nC
总电容：45pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高击穿电压（30V），能够承受较高的瞬态电压，提高了电路的可靠性。
2. 极低的导通电阻（Rds(on) 为 1.8Ω），减少了功率损耗并提高了转换效率。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，非常适合对空间敏感的设计。
5. 较低的栅极电荷，有助于减少驱动损耗，提升整体效率。
6. 工作温度范围宽广，适应各种环境下的使用需求。
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 开关电源中的同步整流器。
3. 电池保护电路。
4. LED 驱动器中的开关元件。
5. 数据通信设备中的信号切换。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
7. 微控制器或 DSP 的外围驱动电路。
FDN357AN, BSS138, 2N7002
