FDN359AN-NL 时间：2025/5/23 15:53:57 阅读：12

FDN359AN-NL是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型SOT-23封装，适合用于需要高效能和小体积的电路设计中。它广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制等领域。
　　FDN359AN-NL的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在开关应用中能够有效减少功率损耗并提升整体效率。此外，该MOSFET还具有快速开关速度以及良好的热稳定性。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　持续漏极电流：340mA
　　脉冲漏极电流：1.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（典型值，Vgs=4.5V时）
　　总功耗：360mW
　　工作结温范围：-55℃至150℃

特性

FDN359AN-NL具有非常低的导通电阻，这对于降低功耗至关重要。同时，其快速的开关性能使其非常适合高频开关应用。
　　由于采用了SOT-23的小型封装，这款MOSFET可以轻松集成到空间受限的设计中。它的高耐压能力（30V）保证了在多种电路环境下的可靠性。
　　此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。

应用

FDN359AN-NL常用于负载开关、DC-DC转换器、电源管理模块、便携式设备中的电池保护电路以及信号切换等应用。
　　其小巧的尺寸和高效的性能特别适用于手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他便携式电子产品的设计。
　　另外，这款MOSFET也可用于汽车电子系统的某些部分，例如信息娱乐系统或传感器接口中的开关控制。