FDN358P-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件采用小尺寸SOT-23封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种低压、低功耗应用场合。
FDN358P-NL主要设计用于要求高效率和小体积的电路中,例如负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备以及便携式电子产品中的信号切换等。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±10V
连续漏极电流:240mA
脉冲漏极电流:750mA
导通电阻(Rds(on)):3.9Ω(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:2.5nC
开关时间:典型值ton=6ns,toff=12ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
FDN358P-NL的主要特性包括:
1. 高速开关性能,适合高频应用。
2. 极低的输入和输出电容,有助于降低开关损耗。
3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 稳定的工作温度范围,适用于多种环境条件。
5. 低导通电阻,在特定栅极驱动电压下提供高效能表现。
6. 静电放电(ESD)防护符合JEDEC标准,提高器件可靠性。
这些特点使FDN358P-NL成为众多低功率电子系统中的理想选择。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 便携式设备中的信号切换。
4. DC-DC转换器和线性稳压器中的同步整流。
5. 过流保护和短路保护电路。
6. 小型电机控制和驱动。
由于其低功耗特性和紧凑封装,FDN358P-NL特别适合需要小型化和高效能的便携式应用,如手机、平板电脑和其他手持设备。
FDN358N, BSS138, 2N7002, PMV20UN