FDN358P-NL 时间：2025/7/2 0:00:21 阅读：19

FDN358P-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件采用小尺寸SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种低压、低功耗应用场合。
　　FDN358P-NL主要设计用于要求高效率和小体积的电路中，例如负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备以及便携式电子产品中的信号切换等。

参数

最大漏源电压：20V
　　最大栅源电压：±10V
　　连续漏极电流：240mA
　　脉冲漏极电流：750mA
　　导通电阻（Rds(on)）：3.9Ω（在Vgs=4.5V时）
　　栅极电荷：2.5nC
　　开关时间：典型值ton=6ns，toff=12ns
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

FDN358P-NL的主要特性包括：
　　1. 高速开关性能，适合高频应用。
　　2. 极低的输入和输出电容，有助于降低开关损耗。
　　3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
　　4. 稳定的工作温度范围，适用于多种环境条件。
　　5. 低导通电阻，在特定栅极驱动电压下提供高效能表现。
　　6. 静电放电（ESD）防护符合JEDEC标准，提高器件可靠性。
　　这些特点使FDN358P-NL成为众多低功率电子系统中的理想选择。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的负载开关。
　　2. 电池供电设备中的电源管理。
　　3. 便携式设备中的信号切换。
　　4. DC-DC转换器和线性稳压器中的同步整流。
　　5. 过流保护和短路保护电路。
　　6. 小型电机控制和驱动。
　　由于其低功耗特性和紧凑封装，FDN358P-NL特别适合需要小型化和高效能的便携式应用，如手机、平板电脑和其他手持设备。