FDN356AP 时间：2025/8/24 21:23:38 阅读：3

FDN356AP是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于低电压和中等功率的开关电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和高效的性能。FDN356AP封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适合空间受限的应用场合，例如便携式电子设备、电池管理系统、电源管理和DC-DC转换器等。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=10V；50mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP
　　工艺技术：Trench沟槽型

特性

FDN356AP采用了先进的Trench沟槽技术，使其在导通状态下具有极低的Rds(on)，从而降低了功率损耗，提高了能效。
　　该MOSFET在4.5V的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，适用于由电池供电的低压系统。
　　其TSOP封装不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适用于高密度PCB设计。
　　此外，FDN356AP具有较高的耐用性和稳定性，能够在多种工作环境下可靠运行。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（最高可达±20V），该器件可以与多种控制器或驱动IC兼容，提高了设计灵活性。
　　同时，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于频繁开关的应用场景。

应用

FDN356AP常用于电源管理模块、同步整流器、负载开关、电池充电电路、DC-DC转换器以及电机驱动电路中。
　　在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件用于高效能的电源切换控制。
　　在工业自动化系统中，FDN356AP可用于驱动继电器、传感器和执行器等低功率负载。
　　在LED照明系统中，该MOSFET可用作恒流控制开关，实现高效节能的照明方案。
　　此外，该器件也适用于各种低电压电机控制应用，如风扇、泵和小型机械装置。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、车灯控制系统和电池管理系统中，FDN356AP也具有良好的应用表现。