类型：MOS FET继电器（单侧构建）
　　输入类型：LED
　　输出形式：常开（NO）
　　最大负载电压（VDSON）：40V
　　连续通态电流（ION）：680mA（最大）
　　导通电阻（RON）：1.5Ω（典型），最大2.5Ω
　　关断状态漏电流（IDSOFF）：1μA（最大）
　　输入正向电流（IF）：50mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　绝缘耐压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Ton/Toff）：典型值0.3ms / 0.2ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON4（超薄小外形封装）
　　引脚数：4

G3VM-402J的最大优势之一是其固态MOS FET输出结构，这使得它在开关过程中不会产生机械磨损，从而实现了几乎无限的电气寿命。传统电磁继电器由于依赖物理触点，在频繁操作下容易出现触点烧蚀、粘连或弹跳等问题，而G3VM-402J完全避免了这些缺陷。此外，由于没有线圈和可动部件，该器件在运行时不会产生电磁噪声或电弧，非常适合用于高精度测量设备和对EMI敏感的电路中。
　　该器件的低导通电阻（典型值仅为1.5Ω）确保了在大电流通过时的低功耗和低温升，提高了系统的整体效率和稳定性。这对于电池供电设备或热管理要求严格的系统尤为重要。同时，快速的响应时间（开通和关断均在毫秒级以下）使其能够胜任高速数据采集系统中的信号切换任务。
　　G3VM-402J具备出色的输入与输出隔离性能，提供高达5000Vrms的绝缘耐压，有效保障了控制侧与负载侧之间的电气安全，符合多种国际安全标准。其紧凑的TSON4封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该器件为无铅产品，符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品制造。
　　值得一提的是，G3VM-402J采用光控驱动方式，输入端仅需一个简单的LED驱动电路即可控制，兼容数字逻辑电平（通常通过限流电阻连接至MCU I/O口），使用非常方便。同时，其输入与输出之间具有良好的信号隔离特性，可有效防止地环路干扰和电压尖峰对控制电路的影响。

G3VM-402J广泛应用于各种需要高性能、高可靠性固态开关的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC模块、传感器信号切换、气动/液压阀控制以及小型电机驱动电路中，作为执行机构的控制开关。由于其无触点特性，特别适合用于易燃易爆环境或需要防爆设计的场合。
　　在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器中，G3VM-402J可用于精确控制信号路径的通断，确保测试结果的稳定性和重复性。其低导通电阻和低漏电流特性有助于减少测量误差，提高系统精度。
　　在通信设备中，该器件可用于电源切换、天线调谐、射频信号路由等应用，尤其是在需要低噪声和高稳定性的场景下表现优异。此外，在医疗电子设备中，如监护仪、便携式诊断设备等，G3VM-402J因其高安全性、长寿命和低EMI特性而受到青睐。
　　消费类电子产品中，如高端音频设备、智能家居控制系统，也越来越多地采用此类光继电器来替代传统机械继电器，以提升产品的整体质量和用户体验。同时，由于其支持表面贴装，非常适合现代SMT生产线，有助于降低制造成本并提高生产效率。

G3VM-21LR, G3VM-61G, G3VM-812G