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FDN342 发布时间 时间:2025/8/24 20:26:40 查看 阅读:3

FDN342是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理与开关电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高速开关特性和优异的热稳定性,适用于负载开关、DC-DC转换器、电机控制及电池供电设备等多种场景。FDN342采用SOT-23封装形式,体积小巧,适合高密度电路板设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  漏极电流(ID):5.6A(最大)
  导通电阻(RDS(on)):34mΩ @ VGS=4.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23
  功率耗散(PD):1.4W
  栅极电荷(Qg):8.5nC
  上升时间(tr):7.8ns
  下降时间(tf):4.2ns

特性

FDN342的核心优势在于其极低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关响应时间,这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。其34mΩ的RDS(on)在4.5V栅极驱动电压下可以有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,FDN342具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
  该器件的SOT-23封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适合在紧凑型设计中使用。FDN342的栅极驱动电压范围宽,支持4.5V至12V的VGS电压,适用于多种驱动电路。
  FDN342在高频开关应用中表现出色,其快速的上升时间和下降时间(分别为7.8ns和4.2ns)有助于减少开关损耗。此外,该MOSFET具有良好的抗过载能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击。

应用

FDN342常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机控制电路、电池供电设备以及各种便携式电子产品中。由于其高效的开关性能和紧凑的封装,FDN342在笔记本电脑、智能手机、平板电脑等设备的电源管理模块中得到广泛应用。
  在DC-DC转换器中,FDN342可作为高边或低边开关使用,提供高效的能量转换。在负载开关应用中,它能够快速开启和关闭电源,以保护系统免受过载或短路的影响。在电机控制领域,FDN342的快速响应特性使其成为PWM调速控制的理想选择。

替代型号

FDN342P, FDS6680, SI2302, AO3400

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