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FDN103 发布时间 时间:2025/9/3 10:07:21 查看 阅读:12

FDN103是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于低电压、高频率的开关电路和功率控制领域。该器件采用先进的硅栅技术制造,具有较低的导通电阻(RDS(on))和良好的热稳定性,适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。FDN103的封装形式多为SOT-23或SOT-323,便于在高密度PCB布局中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):120mA(在VGS=10V)
  导通电阻(RDS(on)):约5Ω(典型值)
  漏极-源极击穿电压(BVDSS):30V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23、SOT-323

特性

FDN103作为一款高性能MOSFET,具备多项优良特性。首先,其低导通电阻确保了在导通状态下功耗较小,从而提高了系统的整体效率。其次,该器件具有快速开关能力,适用于高频工作环境,可以有效降低开关损耗。此外,FDN103的栅极电荷量较低,有助于减少驱动电路的能量需求,使其在低功耗应用中表现优异。
  在可靠性方面,FDN103具有良好的热稳定性和过温保护能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其高击穿电压(BVDSS)确保了在电压波动较大时仍能保持正常运行,提高了系统的安全性。此外,该器件的封装形式为小型表面贴装封装,适用于自动化生产和高密度PCB布局,降低了制造成本。
  FDN103的栅极驱动电压范围较宽,可在2.5V至10V之间正常工作,这使其适用于多种逻辑电平驱动电路,如由微控制器直接驱动。该特性也增强了其在低电压应用中的兼容性和灵活性。

应用

FDN103 MOSFET因其优异的性能和小尺寸封装,被广泛应用于多个领域。在便携式电子产品中,它常用于电源管理模块,作为负载开关或DC-DC升压/降压转换器的开关元件。在电池管理系统中,FDN103可用于实现高效的充放电控制。此外,它还适用于LED驱动电路,用作PWM调光控制开关。
  在工业自动化和通信设备中,FDN103可用于低功耗传感器接口电路、继电器替代开关以及小型电机驱动电路。其快速响应特性也使其适用于脉冲宽度调制(PWM)控制应用。由于其良好的热稳定性,FDN103还可用于温度敏感环境中,如车载电子系统和工业控制系统中的电源切换模块。

替代型号

FDN103N, FDS6675, 2N7002, BSS138

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