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FDMT80060DC 发布时间 时间:2025/5/24 11:55:59 查看 阅读:16

FDMT80060DC 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于需要高效功率转换和开关性能的场景中,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等。其封装形式为 LFPAK56E,能够提供出色的散热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):3.9mΩ
  栅极电荷:12nC
  开关速度:高速
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

FDMT80060DC 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 小型化封装 LFPAK56E 提供更优的布局灵活性和热管理能力。
  4. 高可靠性设计,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特性使其成为各种高效能功率管理应用的理想选择。

应用

FDMT80060DC 广泛用于以下领域:
  1. 消费类电子产品的电源管理,如笔记本电脑适配器和智能手机充电器。
  2. 工业设备中的电机控制与驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 各种类型的 DC-DC 转换器和逆变器设计。
  由于其高效的性能表现,该器件在需要高效率、高可靠性的场景下有着广泛的应用前景。

替代型号

FDMT80060D
  FDP80060
  IRF7754

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FDMT80060DC参数

  • 现有数量8,799现货18,000Factory
  • 价格1 : ¥59.23000剪切带(CT)3,000 : ¥32.33138卷带(TR)
  • 系列Dual Cool?, PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)43A(Ta),292A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.1 毫欧 @ 43A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)238 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20170 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta),156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-Dual Cool?88
  • 封装/外壳8-PowerVDFN