类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：44A（在25°C下）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：42W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：SO-8

FDMS8678S的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的PowerTrench?技术，这种技术通过优化器件的沟槽结构来进一步降低导通电阻，同时提高器件的热稳定性和可靠性。
　　该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为44A，在25°C环境温度下表现优异。由于其优异的热性能，FDMS8678S在高负载条件下也能保持较低的温升，从而延长使用寿命并提高系统的稳定性。
　　FDMS8678S的封装形式为SO-8，这是一种表面贴装封装，具有较小的体积和良好的热管理能力，适合高密度PCB布局。该封装还提供了良好的电气性能和机械稳定性，适用于自动化装配工艺。
　　此外，FDMS8678S具备较高的栅极-源极电压耐受能力（±20V），使其在各种驱动条件下都能保持稳定的工作状态。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）也使其适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。

FDMS8678S广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率管理系统中。例如，在DC-DC转换器中，FDMS8678S可以作为主开关器件，提供高效的电压转换。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制和保护电路。此外，FDMS8678S也适用于电机驱动电路，能够提供稳定的电流输出并降低能耗。在电源管理模块中，FDMS8678S可用于负载开关、电源分配和热插拔保护等应用。
　　由于其高电流承载能力和优异的热性能，FDMS8678S也适用于高功率密度设计，如服务器电源、通信设备电源模块和工业控制系统。

Si7461DP, FDS4410, IRF7413, FDS8858