型号：MDPK5050T1R0MM
　　制造商：Murasata（村田）
　　封装尺寸：5050（5.0mm x 5.0mm）
　　电容值：1.0mF (1000μF)
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：X5R（或其他高性能介电类型）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于5mΩ（频率依赖）
　　等效串联电感（ESL）：极低，适用于高频应用
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　老化率：符合X5R标准（最大2.5%/decade）
　　直流偏压特性：良好，在额定电压下电容下降率小于40%
　　抗湿性：符合IEC 61249-2-21标准
　　可靠性：满足AEC-Q200等工业级认证（视具体批次而定）

MDPK5050T1R0MM作为一款高端多层陶瓷电容器，具备多项卓越的技术特性，使其在现代电子电路中占据重要地位。首先，它采用了高介电常数的钡钛酸盐材料体系，并结合精密印刷与共烧工艺，实现了在5050小型封装内集成高达1.0mF的电容值，突破了传统MLCC容量极限。这种高容量密度特性使得设计者可以在有限的PCB空间内实现更强的储能与滤波能力，尤其适用于移动通信设备、平板电脑及超薄笔记本中的电源去耦设计。
　　其次，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），显著提升了其在高频下的阻抗性能。即使在数百kHz至数MHz的工作频率范围内，仍能保持优异的去耦效果，有效抑制电源噪声和电压波动，保障数字IC（如CPU、GPU、FPGA）的稳定运行。相比传统的电解电容或钽电容，MDPK5050T1R0MM不存在极性问题，避免了因反向电压导致的击穿风险，同时也不受电解液干涸的影响，拥有更长的使用寿命和更高的环境适应性。
　　再者，该电容具备出色的直流偏压稳定性。尽管随着施加电压增加，X5R类介质的电容值会有所下降，但MDPK5050T1R0MM通过优化内部电极结构和介质层厚度分布，最大限度地减少了电压引起的容量衰减，确保在6.3V满载条件下仍保留足够可用容量。此外，其宽温工作范围（-55°C至+125°C）支持极端环境下的可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等严苛应用场景。
　　最后，该产品采用无铅兼容端子结构（Ni-Sn镀层），支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线。其机械强度高，热循环耐久性强，可承受多次焊接热冲击而不出现裂纹或分层现象。整体而言，MDPK5050T1R0MM代表了当前高容MLCC技术的发展方向，是替代传统电解电容的理想选择。

MDPK5050T1R0MM广泛应用于对空间、效率和可靠性要求较高的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块中，作为DC-DC转换器输出端的滤波电容，提供稳定的电压供应并降低纹波噪声。其小尺寸和大容量特性非常适合高集成度主板设计。
　　在计算设备方面，该电容被大量用于服务器、工作站和高性能显卡的VRM（电压调节模块）电路中，为CPU、GPU等核心芯片提供瞬态电流响应支持，确保在负载突变时维持电源稳定性，防止系统崩溃或性能降频。
　　在汽车电子系统中，MDPK5050T1R0MM可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器和电池管理系统（BMS）中，满足AEC-Q200可靠性标准，适应车辆运行中的振动、温度变化和电磁干扰环境。
　　此外，在工业自动化、医疗仪器和通信基础设施（如基站电源、光模块供电）中，该器件也发挥着关键作用，尤其是在需要长期稳定运行且维护困难的场合，其长寿命和高可靠性优势尤为突出。总体来看，凡是有高效能电源去耦、储能滤波需求的场合，MDPK5050T1R0MM均是一个极具竞争力的解决方案。

GRM32DR6YA105ME73L
　　CLT5050105KPFHNNE