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FDMS8670S 发布时间 时间:2025/7/1 7:11:33 查看 阅读:6

FDMS8670S 是一款高性能的 MOSFET 功率开关器件,采用先进的制程技术制造,广泛应用于需要高效功率转换和低导通损耗的场景。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为 SO-8,适合表面贴装工艺,能够满足消费电子、通信设备以及工业应用中对小型化和高性能的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:34nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FDMS8670S 的主要特性包括极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提升散热性能。同时,它具备出色的热稳定性和电气可靠性,能够承受较高的结温。此外,其快速开关能力使其非常适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。器件内部集成了多种保护功能,如过流保护和短路保护,进一步增强了系统的安全性。
  在动态性能方面,FDMS8670S 的栅极电荷较低,可显著降低驱动损耗,并支持更高的开关频率,从而缩小无源元件的尺寸并优化整体设计。

应用

该器件适用于各种高效率电源管理场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统 (BMS)
  4. 工业电机控制
  5. 消费类电子产品中的负载开关
  6. 电信基础设施中的电源模块
  由于 FDMS8670S 具备良好的耐压能力和大电流承载能力,因此也常用于汽车电子和新能源领域的相关设计。

替代型号

FDMS8629, IRF7832, FDMC8670

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FDMS8670S参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PQFN,Power56
  • 供应商设备封装Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS8670STR