FDMS7681 时间：2025/12/29 14:11:48 阅读：9

FDMS7681是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用了先进的PowerTrench?技术，优化了导通电阻（RDS(on)）和开关性能，使其在高电流应用中具有出色的能效和热性能。FDMS7681通常采用5引脚DFN封装（Dual Flat No-leads），便于高密度布局和高效散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为9.2mΩ（VGS=10V）
　　功率耗散：4.8W（TC=25℃）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：5-DFN（5.0mm x 6.0mm）

特性

FDMS7681采用飞兆半导体的PowerTrench?技术，这是一种先进的沟槽式MOSFET制造工艺，能够显著降低导通电阻并提升器件的开关性能。该技术通过优化沟槽结构和掺杂分布，提高了电流密度，从而在相同封装尺寸下实现更高的功率处理能力。此外，FDMS7681的低RDS(on)特性使其在高电流工作状态下具有更低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　该MOSFET的5引脚DFN封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持PCB的高密度布局，非常适合空间受限的应用场景。此外，FDMS7681具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。
　　FDMS7681的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的VGS电压输入，使其兼容多种驱动电路设计。此外，该器件具有较低的输入电容（CISS）和反向传输电容（CRSS），有助于降低开关损耗并提高响应速度，适合高频开关应用。

应用

FDMS7681广泛应用于需要高效能、高电流处理能力的电源管理系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其优异的导通特性和热稳定性，FDMS7681也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等。
　　在服务器电源和通信设备中，FDMS7681可用于构建高效率的多相位电源系统，提供稳定的电压调节和快速的动态响应。此外，该器件也可用于高功率LED照明驱动电路，实现高效能的电流控制和热管理。