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LLL219C70G225MA01K 发布时间 时间:2025/7/3 14:50:30 查看 阅读:9

LLL219C70G225MA01K 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计旨在优化效率并减少系统功耗。

参数

型号:LLL219C70G225MA01K
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vds):70V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  最大结温:175°C
  封装形式:TO-247

特性

LLL219C70G225MA01K 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 优异的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品需求。
  5. 内置ESD保护,提高了器件的可靠性。
  6. 支持大电流操作,适用于需要高功率输出的应用场景。
  7. 紧凑的封装形式使得其易于集成到各种电路中。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 各类DC-DC转换器中的同步整流。
  4. 可再生能源系统如太阳能逆变器中的功率管理。
  5. 工业自动化设备中的负载切换。
  6. 汽车电子中的电源管理和电机控制。

替代型号

IRFP2907,
  STP70NF7,
  FDP18N70,
  IXTH70N7W,
  INF70N70,
  DMT70U7SP,
  CSD19536Q5A

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LLL219C70G225MA01K参数

  • 制造商Murata
  • 电容2.2 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值4 Volts
  • 温度系数/代码X7S
  • 外壳代码 - in0508 (Reversed)
  • 外壳代码 - mm1220 (Reversed)
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品Reversed Geometry Low ESL Type
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF2200 nF
  • 尺寸2 mm W x 1.25 mm L x 0.85 mm H
  • 封装 / 箱体0508 (Reversed)
  • 系列LLL
  • 端接类型SMD/SMT