FDMS7660S 时间：2025/12/29 15:17:58 阅读：11

FDMS7660S是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，属于PowerTrench?系列。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，旨在提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率，适用于各种电源管理和功率转换应用。FDMS7660S为双N沟道增强型MOSFET，封装形式为SO-8，具有良好的热稳定性和电流承载能力。

参数

类型：双N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.9A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：21mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SO-8
　　功率耗散（Pd）：3W
　　漏极电容（Ciss）：约800pF

特性

FDMS7660S采用了飞兆半导体的PowerTrench?技术，这种技术通过优化沟槽结构来降低导通电阻并提高开关性能。该器件在高温环境下具有良好的稳定性和可靠性，适用于需要高效率和小尺寸封装的电源应用。FDMS7660S的双通道设计使其在同步整流、负载开关和DC-DC转换器等应用中表现出色。此外，其低导通电阻和快速开关特性有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。该器件的SO-8封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。

应用

FDMS7660S广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各种需要高效能MOSFET的电子设备。由于其紧凑的封装和优异的电气性能，FDMS7660S也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子产品的电源管理电路中。