类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：@4.5V=3.7mΩ，@2.5V=5.2mΩ
　　栅极电荷（Qg）：63nC
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

FDMS6682Z 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件在 4.5V 栅极驱动电压下的 RDS(on) 仅为 3.7mΩ，在 2.5V 时也保持较低水平（5.2mΩ），这使其适用于多种栅极驱动电压条件。
　　此外，FDMS6682Z 采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。其最大漏极电流可达 100A，漏源电压额定值为 30V，适用于各种中高功率应用。
　　该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg 为 63nC），有助于提高开关速度，减少开关损耗。同时，其内部结构设计优化，能够有效降低电磁干扰（EMI）和热阻，从而提升系统的稳定性和可靠性。
　　FDMS6682Z 的封装为 8 引脚 SOIC，尺寸紧凑，适用于高密度 PCB 设计。该器件符合 RoHS 标准，并具有良好的抗静电能力，适合工业和汽车电子应用。

FDMS6682Z 主要应用于电源转换和功率管理领域，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机驱动电路等。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

SiR142DP-T1-GE, IRF6682TRPBF, FDD6682, FDMS6680Z