您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C 发布时间 时间:2025/5/13 12:53:00 查看 阅读:5

FDMS4D0N12C是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于Fairchild(现为Onsemi安森美旗下品牌)的DMOS系列。该芯片主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  该器件采用TO-252封装形式,具备出色的热性能和电气性能,适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多种领域。

参数

型号:FDMS4D0N12C
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压(Vds):12V
  额定电流(Id):86A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):11nC(典型值)
  输入电容(Ciss):2290pF(典型值)
  最大功耗:75W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-252

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 高电流处理能力(86A),使其适合于大功率应用。
  3. 快速开关速度,可减少开关损耗,特别适用于高频开关电路。
  4. 出色的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保设计,满足现代电子产品对环保的要求。
  6. 小型封装设计(TO-252),节省PCB空间,简化布局设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 汽车电子中的负载切换。
  6. 消费类电子产品的保护和控制电路。

替代型号

IRLR7846PBF, FDN307P, BSC012N06LSG

FDMS4D0N12C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDMS4D0N12C参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥41.58000剪切带(CT)3,000 : ¥20.86550卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)120 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18.5A(Ta),114A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 毫欧 @ 67A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 370A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)82 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6460 pF @ 60 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta),106W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-PQFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN