时间：2025/9/2 3:37:31
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H5TQ4G63MFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM, High Bandwidth Memory）类别。这款存储器芯片主要用于高性能计算、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器以及需要极高内存带宽的应用场景。H5TQ4G63MFR-RDC 采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）实现多个存储芯片的垂直互联，从而显著提高数据传输速率和存储密度。
容量：4GB
类型：DRAM
接口：HBM2
工作电压：1.2V
数据速率：2.4Gbps
封装类型：3D TSV堆叠
引脚数：1024
温度范围：0°C 至 95°C
H5TQ4G63MFR-RDC 的核心优势在于其高带宽和紧凑的封装设计，适用于现代高性能计算系统对内存带宽和功耗的严苛要求。其采用的HBM2标准提供了更高的数据传输速率和更好的能效比，相较于传统的GDDR5或DDR4内存，H5TQ4G63MFR-RDC 在带宽密度方面具有明显优势。此外，该芯片的3D堆叠技术减少了PCB空间占用，同时降低了信号传输延迟和功耗。其TSV（硅通孔）技术还增强了电气性能，提高了系统的可靠性和稳定性。
该芯片支持多种操作模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以优化功耗管理。H5TQ4G63MFR-RDC 的高性能和低功耗特性使其成为高端GPU、AI加速卡、网络交换设备和高性能服务器的理想选择。
H5TQ4G63MFR-RDC 主要应用于需要极高内存带宽和低延迟的高性能计算设备，如高端图形处理器（GPU）、人工智能加速器（AI Accelerators）、深度学习训练平台、超级计算机、高性能服务器以及高速网络交换设备。该芯片的3D堆叠封装技术特别适合在空间受限但需要高数据吞吐量的系统中使用，例如数据中心的AI推理服务器、虚拟现实（VR）设备以及下一代自动驾驶计算平台。
H5TQ8G63MFR-RDC, H5TQ2G63AFR-RDC, HBM2_4GB_2.4Gbps
