时间：2025/8/24 18:17:08
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FDMS3664是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面技术，提供低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于高效能、高密度的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：最大8.8mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗（Pd）：170W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerTrench? MLP（5x6mm）
FDMS3664采用了先进的PowerTrench?技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。其低Rds(on)特性可显著降低传导损耗，提高系统效率。该器件还具有较高的电流承载能力和优异的热管理能力，适合在高功率密度设计中使用。此外，FDMS3664的封装尺寸紧凑，适合空间受限的应用场景。该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。
FDMS3664的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。该器件的封装采用无铅工艺，符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备的设计。
FDMS3664常用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及服务器和通信设备的电源模块。由于其高性能和紧凑封装，FDMS3664也适用于便携式电子设备和车载电子系统中的功率控制应用。
Si7461DP, IRF7461, FDS4682, FDMS3662
