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FDMF6705V 发布时间 时间:2025/12/24 11:06:54 查看 阅读:14

FDMF6705V 是一款基于 DMOS 技术的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。这款器件专为需要高效率和低导通电阻的应用设计,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
  该器件采用小型表面贴装封装(SOT-23),具有出色的热性能和电气性能。其工作电压范围宽广,能够承受较高的漏源极电压,同时具备较低的导通电阻,从而减少功耗并提高整体系统效率。

参数

型号:FDMF6705V
  类型:N 沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):180 mΩ(最大值,典型值为 150 mΩ,条件:VGS = 4.5V)
  IDS(连续漏极电流):1.4A(Ta = 25°C)
  PD(总功耗):440mW(Ta = 25°C)
  VGS(th)(阈值电压):1.2V 至 2.5V
  f(工作频率):支持高频应用
  封装形式:SOT-23

特性

1. 高效性能:FDMF6705V 的导通电阻非常低,有助于降低传导损耗,并提升电路的整体效率。
  2. 小型化设计:采用 SOT-23 封装,适合空间受限的应用场景。
  3. 热稳定性:由于采用了先进的制造工艺,FDMF6705V 在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  4. 快速开关能力:具备低栅极电荷和输入电容,能够在高频应用中实现快速切换,从而减少开关损耗。
  5. 安全操作:具有较高的雪崩击穿能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
  6. 符合 RoHS 标准:环保材料确保满足国际法规要求。

应用

FDMF6705V 广泛应用于各种消费电子和工业领域中的低功率开关电路:
  1. 开关电源(SMPS):用于高效能量转换。
  2. DC-DC 转换器:提供稳定的直流电压输出。
  3. 电池管理:包括电池充电保护和放电控制。
  4. 电机驱动:用于小型直流电机的速度和方向控制。
  5. 负载开关:实现对负载的快速接通和断开。
  6. 便携式设备:如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
  7. 信号切换:用于音频和视频信号的路径选择。

替代型号

对于 FDMF6705V,以下是一些可能的替代型号,具体选择需根据实际应用需求进行验证:
  1. BSS138:同样是 N 沟道小信号 MOSFET,但其导通电阻较高。
  2. AO3400:导通电阻更低,适合更高效率需求的应用。
  3. FDN340P:与 FDMF6705V 性能接近,但封装形式略有不同。
  4. PMV40EN:来自 Nexperia 的同类产品,性能指标类似。
  注意:替换时应仔细核对关键参数,例如 VDS、RDS(on) 和 IDS 等,以确保兼容性。

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FDMF6705V参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列XS™ DrMOS
  • 类型高端/低端驱动器
  • 输入类型PWM
  • 输出数1
  • 导通状态电阻-
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出40A
  • 电源电压8 V ~ 15 V
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳40-PowerTFQFN
  • 供应商设备封装40-PQFN(6x6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMF6705V-NDFDMF6705VTR