FDMC8588DC 时间：2025/7/16 11:30:55 阅读：12

FDMC8588DC 是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
　　它是一种N沟道增强型场效应晶体管（NMOS），广泛适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用中。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：160A
　　脉冲漏极电流：400A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：125nC
　　输入电容：4750pF
　　反向恢复时间：20ns
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

FDMC8588DC 具有非常低的导通电阻，仅为1.2毫欧，这使其在大电流应用中表现出色，能够有效减少传导损耗。
　　此外，它的栅极电荷较低，只有125纳库仑，有助于实现更快的开关速度，并减少开关损耗。
　　该器件还具备出色的热性能，能够在高达150°C的工作温度下稳定运行，适合高功率密度设计。
　　其快速的反向恢复时间（20ns）也使得它在高频开关应用中表现优异，进一步降低了开关过程中的能量损失。
　　FDMC8588DC 的封装形式通常为TO-247或类似的功率封装，便于散热和安装，同时也支持更高的电流承载能力。

应用

这款功率MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品领域，包括但不限于：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC转换器
　　- 电机驱动与控制
　　- 负载切换电路
　　- 太阳能逆变器
　　- 电动汽车牵引逆变器
　　- UPS不间断电源系统
　　由于其卓越的性能，FDMC8588DC 特别适合需要高效率和高可靠性的场景，例如数据中心电源供应、电动工具驱动等。