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FDMC8200 发布时间 时间:2025/6/14 20:12:24 查看 阅读:5

FDMC8200是一款高性能的MOSFET驱动芯片,广泛应用于工业和消费类电子领域中的功率转换系统。该芯片能够提供高电流输出以快速开关外部MOSFET,同时具备低功耗特性,确保高效能表现。
  其设计支持宽范围输入电压,并且集成了多种保护功能,如过流保护、过温保护和欠压锁定等,从而增强了系统的可靠性和稳定性。

参数

最大输入电压:30V
  工作电压范围:4.5V 至 26V
  峰值输出电流:±4A
  传播延迟:50ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8

特性

FDMC8200具有以下关键特性:
  1. 高速驱动能力,适用于高频开关应用。
  2. 内置死区时间控制,防止直通电流问题。
  3. 强大的保护机制,包括过流关断、热关断和欠压闭锁。
  4. 超低静态电流消耗,优化了整体效率。
  5. 支持宽范围的工作电压,适应各种电源环境。

应用

FDMC8200主要应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. LED驱动电路。
  3. 电机驱动与控制。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 消费类电子产品中的高效能转换电路。

替代型号

FDMC8201, FDMC8202

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FDMC8200参数

  • 特色产品FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A,12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
  • 功率 - 最大700mW,900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装8-Power33(3x3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMC8200TR