时间：2025/5/20 16:55:30
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FDMC5614P 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能开关应用。
该 MOSFET 的封装形式为 DPAK (TO-252)，使其能够满足表面贴装需求，并提供良好的散热能力。FDMC5614P 广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中，特别是在需要高效能和小体积解决方案的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：30mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下测量）
栅极电荷：19nC（典型值）
开关时间：ton=17ns，toff=13ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDMC5614P 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小巧的 DPAK 封装，有助于减少 PCB 空间占用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 内部设计优化以减少寄生电感和电容，从而提高整体性能。
FDMC5614P 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池保护和充电管理电路。
6. 各类消费类电子产品中的高效能功率转换模块。
FDMC5615P, FDMC5616P, FDMQ8203
