型号：IXTT6N120
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? CFD
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压 V(BR)DSS：1200 V
　　连续漏极电流 I D @ 25°C：6 A
　　脉冲漏极电流 I DM：24 A
　　导通电阻 R DS(on) @ V GS = 10 V：1.85 Ω（最大值）
　　栅极阈值电压 V GS(th)：4 V（典型值）
　　输入电容 C iss：115 pF @ 100 V
　　输出电容 C oss：24 pF @ 100 V
　　反向恢复时间 t rr：190 ns
　　最大工作结温 T j：150 °C
　　封装/外壳：TO-247-3L

IXTT6N120基于英飞凌独有的CoolMOS? CFD（Charge Balance Device）技术，实现了传统硅基MOSFET在高压应用中的性能突破。这种超级结结构通过精确控制P型和N型掺杂区域的电荷平衡，显著降低了器件的导通电阻与寄生电容之间的权衡关系，从而在1200V耐压等级下仍能保持较低的RDS(on)，提高了整体能效。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这使其在高频开关操作中表现出色，减少了驱动损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的转换效率并减小散热器尺寸。同时，其快速的开关速度配合优化的体二极管反向恢复特性，有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统稳定性。
　　IXTT6N120还具备优良的热性能和长期可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气参数。其TO-247-3L封装提供了较大的焊接触点面积，增强了热传导路径，便于安装散热片或集成到模块化设计中。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的抗扰能力，可在恶劣电磁环境中可靠运行。
　　值得一提的是，IXTT6N120无需使用复杂的有源钳位或软开关拓扑即可实现高效工作，简化了电路设计流程。它支持硬开关和准谐振（QR）等多种拓扑结构，适用于LLC谐振转换器、反激式变换器和Boost PFC电路等高端电源架构。综合来看，IXTT6N120凭借其高性能、高可靠性和易用性，成为工业级高压电源设计的理想选择之一。

IXTT6N120广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用包括工业用开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件使用。由于其1200V的高耐压能力，特别适用于单级PFC（功率因数校正）电路或升压（Boost）拓扑中，能够直接连接整流后的母线电压，避免使用额外的电压隔离或降压电路。
　　在可再生能源领域，该器件常见于太阳能光伏逆变器中，用于直流侧的MPPT（最大功率点跟踪）升压转换阶段，帮助提升能量采集效率。同时，因其良好的动态响应和低损耗特性，也适用于不间断电源（UPS）、储能系统和电动汽车充电设备中的DC-DC变换模块。
　　此外，IXTT6N120还可用于高端LED照明驱动电源，特别是在户外大功率LED路灯或商业照明系统中，满足高效率、长寿命的设计要求。在电机控制方面，可用于中小功率的交流变频器或伺服驱动器中的辅助电源或缓冲电路。
　　由于其坚固的结构和抗雪崩能力，该MOSFET也能承受一定程度的电压应力冲击，适合存在频繁启停或负载突变的应用场景。总之，凡是需要在1200V电压等级下实现高效、紧凑且可靠的功率转换系统，IXTT6N120都是一个极具竞争力的解决方案。

IPP65R120CFDA
　　IPW65R120CFDA
　　STTH12R120C