FDMC510PX 时间：2025/8/25 3:57:14 阅读：6

FDMC510PX 是由 Fairchild（飞兆半导体，现为 ON Semiconductor 一部分）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率的电源转换系统设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元等场合。FDMC510PX 采用先进的 PowerTrench? 技术，以降低导通电阻 RDS(on)，从而减少导通损耗并提高能效。其封装形式为 8-PowerTSSOP，适用于表面贴装工艺，具备良好的热性能和空间利用率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7.8A
　　导通电阻 RDS(on)：22mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 RDS(on)：30mΩ @ VGS = 4.5V
　　功耗（Pd）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-PowerTSSOP

特性

FDMC510PX 的核心优势在于其低导通电阻与高开关速度的结合，使其在高频开关电源中表现出色。采用 PowerTrench? 技术，显著降低了 RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的栅极电荷（Qg）和较低的输出电容（Coss），有助于实现快速开关动作，从而降低开关损耗。
　　在热性能方面，FDMC510PX 的 8-PowerTSSOP 封装设计具有良好的散热能力，适合在高电流密度应用中使用。其小型封装形式也使得它非常适合空间受限的设计，如笔记本电脑、平板电脑、电源适配器和负载开关模块。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了其在严苛环境下的可靠性。同时，其±20V的栅极电压耐受能力使其适用于多种栅极驱动电路设计。

应用

FDMC510PX 主要应用于需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。例如，在同步整流式 DC-DC 转换器中，该器件可用作高边或低边开关，提供高效的电压转换。在电池管理系统中，FDMC510PX 可用于充放电控制电路，实现对电池状态的精确管理。此外，它也适用于负载开关、电机驱动、LED 照明调光电路、电源分配系统等场合。
　　由于其优异的导通性能和高频响应能力，FDMC510PX 也常见于高效率的同步整流器、笔记本电脑和移动设备的电源管理模块、热插拔控制器以及电源管理 IC（PMIC）外围电路中。